2N7002LT1G N-kanava 60 V 115 mA 2,5 V 250 uA 7,5 Ω 500 mA, 10 V 225 mW SOT-23 (SOT-23-3) MOSFETit RoHS

Valmistusosa: 2N7002LT1G
Valmistaja: ON Semiconductor
Paketti: SOT-23(SOT-23-3)
Kuvaus: MOSFET 60V 115mA N-kanava
Tietolomake: Ota yhteyttä.

Tuotetiedot

Attribuutti	Arvo
Valmistaja:	ON Puolijohde
Tuotekategoria:	MOSFET
RoHS:	Yksityiskohdat
Tekniikka:	Si
Asennustyyli:	SMD/SMT
Paketti/kotelo:	SOT-23-3
Transistorin napaisuus:	N-kanava
Kanavien määrä:	1 kanava
Vds - tyhjennyslähteen läpijakojännite:	60 V
Id - Jatkuva tyhjennysvirta:	115 mA
Rds päällä - tyhjennyslähteen vastus:	7,5 ohmia
Vgs – portin lähteen jännite:	- 20 V, + 20 V
Vgs th - portin lähteen kynnysjännite:	1 V
Minimi käyttölämpötila:	-55 C
Maksimi käyttölämpötila:	+150 C
Pd - Tehonhäviö:	300 mW
Kanavatila:	Tehostaminen
Pakkaus:	Leikkaa nauha
Pakkaus:	MouseReel
Pakkaus:	Kela
Kokoonpano:	Yksittäinen
Korkeus:	0,94 mm
Pituus:	2,9 mm
Tuote:	MOSFET pieni signaali
Sarja:	2N7002L
Transistorin tyyppi:	1 N-kanava
Tyyppi:	MOSFET
Leveys:	1,3 mm
Brändi:	ON Puolijohde
Forward Transconductance - Min:	80 mS
Tuotetyyppi:	MOSFET
Tehdaspakkauksen määrä:	3000
Alaluokka:	MOSFETit
Tyypillinen sammutusviive:	40 ns
Tyypillinen käynnistysviive:	20 ns
Yksikköpaino:	0,000282 unssia